基于漏-源电平转换的MOS电容放大器

文中提出了一种基于漏-源电平转换的MOS电容放大器作为采样保持电容的方法,以提高电荷域采样的线性度。放大器巧妙地利用采样和保持为两个独立过程的特性:当处在采样阶段时,MOS电容放大器工作在反型区,此时有较大的电容值,等效为电荷域采样的输出电压较小,提高了线性度;当处在保持阶段时,MOS电容放大器在漏-源电平转换作用下从反型区变换到耗尽区,此时有较小的电容值,等效为电荷域采样的输出电压被放大,使下一级电路能较好地工作。利用一种55 nm CMOS工艺设计了基于漏-源电平转换的MOS电容放大器,并利用Spectre分析了该MOS电容放大器的功能。仿真结果论证了文中工作对提高电荷域采样线性度的可行性。