热蒸发法制备Sb_2Se_3薄膜及后退火温度对其性能的影响

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摘要采用真空热蒸发法结合退火工艺制备得到质量较好的多晶Sb_2Se_3薄膜,薄膜致密、结晶性良好,且表现出一定的择优生长现象,其禁带宽度大致在1.4 eV左右。探索了不同退火温度对Sb_2Se_3薄膜物相结构、形貌与光电性能的影响,在此基础上制备了FTO/CdS/Sb_2Se_3/AL结构的电池,效率为0.047%.

作者姚文健

机构地区福州大学

出处《科技与创新》 2018年第5期72-73,共2页 Science and Technology & Innovation

关键词电阻热蒸发法 Sb2Se3 薄膜太阳能电池半导体

分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]

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