一种基于40nm CMOS工艺的新型温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源

A new type of temperature compensation, high PSRR of band gap reference source

基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1 V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿技术和有源衰减电路,实现在-40℃～125℃内温度变化系数为6.6 ppm/℃,低频下电源抑制比为93 dB,高频下电源抑制比为56 dB,与此同时,利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿。