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基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥逆变实验装置

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摘要 针对传统小型逆变器存在功率密度低、转换效率低及体积较大的问题,本文提出一种基于新型半导体材料氮化镓(GaN)的全桥拓扑分析,在分析氮化镓(GaN)GS66502的等效电路基础上。
作者 李宇 曹桂梅
出处 《科教导刊(电子版)》 2018年第9期270-270,共1页 The Guide of Science & Education (Electronic Edition)
基金 重庆市高等学校大学生创新创业训练计划项目(201711660017) 重庆理工大学学生科研立项科技发明制作课题(KLB17047) 重庆市教委十三五教育科学规划课题校企协同”下电气专业工程实践教学创新(2017-GX-384)。
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二级参考文献29

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