一步法低温沉积SnO_2

SnO_2是n型宽带隙半导体,禁带宽度约为3.5~4e V,在可见光及近红外光区透射率约为80%,折射率约为2,消光系数趋近零。SnO_2的载流子主要来自晶体中存在的缺陷,本征态SnO_2主要是氧空位或间隙锡离子引入施主能级提供导电电子。为了提高二氧化锡的导电性,通常掺杂一些元素,F掺杂在SnO_2禁带中引入施主能级,提供导电电子。本文采用阳极氧化沉积方法低温一步法沉积出SnO_2。