无夹层P型高阻硅外延材料制备研究

P型高阻硅外延片作为制备光电器件的关键支撑材料,对电阻率提出极高要求,单在生长过程中极易出现夹层而影响后续器件性能。本文通过对外延过程中的杂质浓度变化趋势研究,通过分阶段主动控制P型补偿杂质,成功制备了电阻率大于1500cm的P型高阻外延,并避免了高阻夹层的出现。