基于硅纳米线的场效应晶体管电学性质仿真

半导体硅材料是微电子、光电子领域的基础材料,而半导体硅纳米线具有优良的光电性质和成熟的制备技术。多年以来,人们对硅纳米线的制备及相关器件应用进行了大量而卓有成效的研究,取得了丰富的研究成果。研究结果发现,半导体硅纳米线在电子器件[1-2]、光电器件[3-4]、生物及化学传感器[5]、能量储存及转换等器件[6]方面都有非常广泛的应用前景。而基于半导体硅纳米线的光电器件、电子器件、传感器件应用是以硅纳米线的电学性质为基础的,因此硅纳米线的电学特性是其中关键因素。而硅纳米线的电学特性取决于纳米线制备过程中产生的内部和表面缺陷,因此需要精确控制纳米线的生长条件以期望获得高结晶质量的硅纳米线结构。本文利用Comsol Multiphysics对硅纳米线的电学性质及基于硅纳米线的场效应晶体管的电学特性进行了仿真模拟。并对其进行了详细分析。