ANSYS通过台积电的7nm FinFET PLUS工艺技术和基于内存基板应用的集成扇出型高级封装技术认证

ANSYS近日宣布,ANSYS解决方案已通过台积电的7nm FinFET Plus(N7+)工艺技术节点认证,支持EUV技术,而且参考流程经验证可支持最新的基于内存基板应用的集成扇出型(InFO_MS)高级封装技术。台积电InFO高级封装技术经过扩展后可将内存子系统和逻辑芯片集成在一起。台积电和ANSYS改进了现有的InFO设计流程,支持新型InFO_MS封装技术,并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS RedHawk-CPA、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA和ANSYS CSM及相应的芯片模型验证了参考流程。InFO_MS参考流程包括晶片和封装的协同仿真和协同分析,支持提取、电源和信号完整性分析、电源和信号电迁移分析以及热分析等。