摘要
宗旨:■测量-MOSFET开关损耗,开关时间和栅极电荷准确度。-肖特基势垒二极管(SBD)和二极管反向恢复精确性■为栅极驱动和电源回路PCB布局提供有效的参考设计。■提供有关栅极驱动布局和元器件建议。简化设计验证流程和缩短设计周期。功能:动态表征平台(DCP)使设计工程师能够对Littelfuse提供的高性能碳化硅(SiC)MOSFET和二极管进行高精度表征。本评估工具包的功能要点包括:■专为TO-247-3L碳化硅MOSFET和TO-220-2L SiC肖特基势垒二极管而设计■针对超快速dV/dt和dI/dt事件优化的电源回路和栅极驱动电路。
出处
《中国集成电路》
2018年第12期80-87,共8页
China lntegrated Circuit