华虹半导体第二代0.18μm 5V/40V BCD工艺平台成功量产

华虹半导体有限公司日前宣布,其第二代0.18μm 5V/40V BCD工艺平台已成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。第二代0.18μm 5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至20mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-Area,SOA),保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光掩膜层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件,包括高阻、电容、齐纳(Zener)二极管、肖特基二极管等。