摘要
氧化铟是一种常见的n型半导体材料。本文简要介绍了氧化铟的典型制备方法,总结概括了In_2O_3对乙醇、NO_2和氢气的气敏性能,并展望了其发展方向。
Indium oxide is a common n-type semiconductor material.In this paper,the common preparation methods of indium trioxide were introduced,the sensitivity of In2O3 to ethanol,nitrogen dioxide and hydrogen are summarized,the development direction of indium trioxide was prospected.
作者
张蕾
刘煜
于梦贤
薛光宇
惠晓雨
梁茂
纪文会
马登学
王常春
梁士明
Zhang Lei;Liu Yu;Yu Mengxian;Xue Guangyu;Hui Xiaoyu;Liang Mao;Ji Wenhui;Ma Dengxue;Wang Changchun;Liang Shiming(School of Materials Science and Engineering,Linyi University,Linyi 276005,China)
出处
《山东化工》
CAS
2018年第23期80-81,共2页
Shandong Chemical Industry
基金
国家级大学生创新创业训练计划项目(编号:201710452058)
临沂大学博士科研启动基金(编号:40617058)
2018年山东省本科教改项目(加强科教融合
发挥学科优势
探索地方高校拔尖创新型人才培养新模式Z2018S006)
2016年临沂大学教改项目(以社会需求为导向的材料科学与工程专业创新人才培养模式改革研究)
关键词
氧化铟
制备方法
乙醇
气体传感器
Indium oxide
preparation method
ethanol
gas sensor
