摘要
一、IGBT概述IGBT(lnsulated gate bipolar transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,位居第二位(简称“02专项”),被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛运用于家用电器、智能电网、新能源汽车、轨交等重要领域。一直以来,IGBT被国外半导体厂商垄断,其国产化道路艰难,但又十分紧迫必要。
