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HgCdTe液相外延薄膜与衬底之间组分过渡层研究
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摘要
通过改变薄膜的生长降温速率和生长时间,生长了一系列薄膜,并用SEM-EDS研究了其组分纵向分布。发现生长的HgCdTe液相外延薄膜与CdZnTe衬底之间的组分过渡层一般都在3μm以下与国外HgCdTe薄膜过渡层的水平一致,且组分过渡层厚度随着生长降温速率的增大或生长时间的减少而变薄。
作者
毛旭峰
黄元竞
吴军
万志远
王志斌
机构地区
昆明物理研究所
出处
《电子世界》
2019年第2期94-94,96,共2页
Electronics World
关键词
HGCDTE薄膜
CdZnTe衬底
过渡层厚度
外延薄膜
组分
液相
SEM-EDS
生长时间
分类号
TN362 [电子电信—物理电子学]
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