摘要
本文采取了一种生长高质量CH_3NH_3PbI_3层的方法,设计并构建了Au/SiO_2/CH_3NH_3PbI_3/ZnO/In结构的器件。在正向电压下,载流子在SiO_2中碰撞离化并发生倍增,倍增产生的空穴注入到CH_3NH_3PbI_3层中与从ZnO层中注入的电子发生辐射复合,观察到明显的发光光谱,证实了这种通过载流子倍增方式实现发光的可行性,提供了一种无需有机载流子注入层即可实现发光的有效方式。
出处
《中国金属通报》
2018年第8期132-133,共2页
China Metal Bulletin
基金
国家自然科学基金项目(No.61705078,No.61704065)
吉林省科技厅发展计划项目(No.20180520179JH)
