摘要
2019 年2月7日,Nano Letters 发布了清华大学刘泽文教授和北京交通大学邓涛副教授联合团队的研究论文——Three-Dimensional Graphene Field-Effect Transistors as High Performance Photodetectors.(DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04099),介绍了一种自卷曲方法,可以将2D埋栅式GFET转化为3D微管式GFET。
出处
《传感器世界》
2019年第2期41-41,共1页
Sensor World
