碲镉汞(MCT)富汞液相外延技术综述

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摘要富汞LPE是唯一能以生长方式实现As掺杂并直接激活成受主的外延技术,可在富Te水平外延生长的外延薄膜之上生长出高组分厚度为1um-3um的p型覆盖层(Cap层)形成p-on-n型组分梯度异质结构碲镉汞材料,实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生长。从而优化碲镉汞探测器的性能,提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度,降低组件的体积、重量和功耗,提高可靠性,为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。

作者毛旭峰宋林伟吴军张阳

机构地区昆明物理研究所

出处《科技风》 2019年第7期148-151,共4页

关键词碲镉汞(Hg1-xCdxTe MCT) 富汞垂直液相外延(VLPE)

分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]

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