摘要
梳齿型微机电系统(MEMS)陀螺的释放要求结构具有垂直度高、释放过程沉积聚合物少的特点,通过优化深硅刻蚀的工艺参数,包括钝化气体八氟环丁烷(C_4F_8)的流量、衬底温度、刻蚀气体六氟化硫(SF_6)的流量和钝化气体C_4F_8的压力,实现了结构垂直度为90.0°、支撑层表面沉积物厚度为87.1nm的梳齿结构释放工艺。深硅刻蚀工艺的优化为高性能MEMS陀螺的加工提供了基础。
The comb shaped MEMS gyroscopes should be made with high vertical degree and less deposition polymer.By optimizing the parameters of deep silicon etching including C4F8 flow,platen temperature,SF6 flow and C4F8 pressure,the structure with vertical degree of 90.0°and production thickness of 87.1nm can be achieved.The optimization of deep silicon etching process is the basic for the MEMS gyroscopes manufacturing with high properties.
作者
梁德春
庄海涵
李新坤
刘福民
LIANG Dechun;ZHUANG Haihan;LI Xinkun;LIU Fumin(Beijing Institute of Aerospace Control Instruments,Beijing 100039)
出处
《飞控与探测》
2019年第1期56-60,共5页
Flight Control & Detection
基金
装发部装备预研共用技术(41417010302)
科技部重大共性关键技术课题(2016YFB0501003)
关键词
MEMS陀螺
结构释放
深硅刻蚀
高垂直度
聚合物
MEMS gyroscopes
structure relaxation
deep silicon etching
high vertical degree
polymer
