现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFET gate drivers
摘要
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
出处
《电子产品世界》
2019年第5期31-35,共5页
Electronic Engineering & Product World
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