可制微纳光电器件的半导体新材料

Advanced Materials发表了南京工业大学王琳团队制备的一种高质量超薄二维PbL晶体,厚度只有几个纳米,通过它实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控,为制造太阳能电池、光电探测器提供了新思路。这一超薄碘化铅纳米片,即原子级厚度的宽禁带二维PbI2晶体,是采用溶液法合成的,对设备要求很低,具有简单、快速、高效的优点,能够满足大面积和高产量的材料制备需求。合成岀的PbI2纳米片具有规则的三角形或者六边形形状,平均尺寸6μm,表面光滑平整,光学性能良好。