期刊文献+

利用VREF Margin方法分析与解决DDR3参数最优化问题

下载PDF
导出
摘要 DDR因其高速率、大容量的特点,广泛应用于各种电子产品中。在DDR硬件设计过程中,由于信号速率高、引脚多、测试点隐蔽给电路调试测试带来很大困难。如何准确地测试信号完整性和时序,如何快速高效地确定最佳的时序参数,是硬件设计测试工程师们要面对的一个重要难题。本文通过一个典型案例的测试与分析,引入一种通过调整DDR参考电压的方法来间接调试DDR时序,从而得到时序最佳的一组DDR参数。
作者 李为龙
出处 《中国集成电路》 2019年第5期76-79,共4页 China lntegrated Circuit
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献3

  • 1JEDEC SOLD STATE TECHNOLOGY ASSOCIATION,DDR3 SDRAM SPECIFICATION,JESD79-3C (April 2008);.
  • 2孙灯亮.DDR 1&2&3的“读”和“写”眼图分析[DB/OL].安捷伦科技有限公司.
  • 3胡为东.利用新一代虚拟探测功能实现DDR等信号去嵌测试[DB/OL].Teledyne LeCroy有限公司.

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部