不同载流子输运模型对GaN IMPATT二极管直流特性的影响研究

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摘要本文利用氮化镓半导体,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并利用漂移-扩散输运模型和流体动力学输运模型,在Sentaurus模拟器中对器件的直流特性进行了模拟研究。通过对比研究,发现漂移-扩散模型过高估计了器件内部载流子的碰撞电离率,而流体动力学模型更能精确的揭示器件内部载流子的电离过程。

作者李秀圣

机构地区潍坊学院

出处《潍坊学院学报》 2018年第6期14-17,共4页 Journal of Weifang University

关键词氮化镓 IMPATT 漂移-扩散流体动力学

分类号 TN311 [电子电信—物理电子学]

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