电子材料

弗劳恩霍夫研究所成功在GaN芯片集成多个元件德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)的研究人员成功将电流传感器、温度传感器以及功率晶体管、续流二极管以及栅极驱动器都集成到了基于氮化镓(GaN)的半导体芯片上,从而显著地提升了用于电压转换器的GaN功率集成电路的功能。此次研究进展将为研发更紧凑、更高效的电动汽车车载充电器铺平道路。