期刊文献+

2018年中国光伏技术发展报告(5)

Report on 2018 China PV technology development(part 5)
下载PDF
导出
摘要 2.3.1.4光致衰减的研究进展由于p型硅衬底的太阳电池含有硼、铁、氧等元素,存在光辐照时不稳定的特性。IEA对这些不稳定性进行了归纳,如图22所示,由图可知,大部分的不稳定性是由组件封装导致的,但是仍有0.5%~5%的不稳定性属于光照导致的衰减(LID)和电压诱导衰减(PID)。图中的p型电池是指全铝背场常规太阳电池,而对于PERC太阳电池,人们发现了新的光致衰减现象。
作者
出处 《太阳能》 2019年第8期18-23,共6页 Solar Energy
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献20

  • 1太阳能发电科技发展“十二五”专项规划.中华人民共和国科学技术部[EB/OL].http://www.most.gov.cn/fggw/zfwj/zfwj2012/201204/t20120424_93887.htm.
  • 2CHAPIN D M, FULLER C S, PEARSON G L. A new silicon p-n junction photocell for converting solar radiation into electrical power [ J]. Journal of Applied Physics, 1954, 25 (5): 676-677.
  • 3GREEN M A, EMERY K, HISHIKAWA Y, et al. Solar cell efficiency tables (version 39 ) [J]. Prog Photovolt: Res Appl, 2012, 20 (1): 12 -20.
  • 4中国光伏产业联盟,2012-2013年中国光伏产业年度报告[M].北京:中国电子信息产业研究院,2013:91-126.
  • 5刘涛,谯锴.从半导体产业的起伏看中国光伏产业的机遇与挑战[J].光伏制造,2013,4(1):40-42.
  • 6SCHULTZ O, QUEISSER H J. Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cell [J]. Journal of Applied Physics, 1961, 32 (3): 510-519.
  • 7CHO E C, GREEN M A, CONIBEER C, et al. Silicon quantum dots in a dielectric matrix for all-silicon tandem solar cells [J]. Advances in Opto Electronics, 2007: 69578.
  • 8KONIGA D, CASALENUOVOA K, TAKEDAC Y, et al. Hot carrier solar cells: principles, materials and design [J]. Physica: E, 2010, 42 (10): 2862-2866.
  • 9CHO E, PARK S, HAO X, et al. Silicon quantum dot/crystalline silicon solar cells [J]. Nanotechnology, 2008, 19 (24): 245201.
  • 10ABERLE A. Surface passivation of crystalline silicon solar cells: a review [J]. Prog Photovolt: Res Appl|, 2000, 8 (5): 473-487.

共引文献24

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部