双层过渡金属硫族化合物可控外延制备获新突破

大面积高质量单晶的生长一直是现代电子技术得以高速发展的基石。为了突破硅基电子学摩尔定律的限制,当前电子学研究的热点集中在二维过渡金属硫族化合物(TMDs)上。但是,如何精确控制这种原子层级的二维晶体的外延逐层生长,一直是一个难以解决的难题。