摘要
南京电子器件研究所开发了76.2mm(3英寸)InP基电光调制器和光电探测器圆片工艺,所研制器件工作于1550nm波段。电光调制器如图1(a)所示,带宽达40GHz[如图1(b)所示],半波电压1.8V,消光比大于20dB。光电探测器如图2(a)所示,带宽达40GHz以上[如图2(b)所示],响应度为0.3A/W,暗电流为45nA。
作者
钱广
李冠宇
牛斌
周奉杰
顾晓文
孔月婵
陈堂胜
QIAN Guang;LI Guanyu;NIU Bin;ZHOU Fengjie;GU Xiaowen;KONG Yuechan;CHEN Tangsheng(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, CHN)
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第4期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
