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光子晶体结构提升发光二极管出光效率的研究 被引量：1

A Study of Enhancing the Light-Emitting Efficiency of Light Emitting Diodes by Photonic Crystal Structure
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摘要 采用有限元(FEM)算法数值仿真和比较了不同纳米结构光子晶体发光二极管(Light-emitting Diode,LED)对光的提取效率的影响。仿真结果表明光子晶体结构对器件的出光效率有明显的提升,并给出了光子晶体LED器件的相关优化参数。根据优化参数成功制备了纳米孔状、柱状结构光子晶体LED器件。器件性能表征表明相对于表面未作结构化处理的LED,纳米柱状光子晶体LED和纳米孔状光子晶体LED的光效增强倍率分别为2.03倍和1.52倍。具有纳米结构的光子晶体LED器件比平面结构的LED器件性能有了较大的提升。
作者 李泽平 魏志文 李东京 沈静 伍爱霞 LI Ze-ping;WEI Zhi-wen;LI Dong-jing;SHEN Jing;WU Ai-xia
机构地区 湖北科技学院电子与信息工程学院 赤壁市车埠高级中学
出处 《湖北科技学院学报》 2019年第4期85-89,93,共6页 Journal of Hubei University of Science and Technology
基金 湖北科技学院博士启动基金(L07903/170335-BK201819,BK201801) 湖北省高校优秀青年科技创新团队规划项目(T201513)
关键词 光子晶体 出光效率 LED FEM
分类号 G633.7 [文化科学—教育学]
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献64

  • 1[1]Kato T, Susawa H, Hirotani M, et al. GaAs/GaAlAs surface emitting IR led with bragg reflector grown by MOCVD [J]. J Cryst Growth, 1991, 107: 832.
  • 2[2]Ishikawa M, Shiozawa H, Itaya K, et al. Temperature dependence of the threshold current for InGaAlP visible laser diodes [J]. IEEE J Quantum Electron, 1991, 27: 23-29.
  • 3[3]Yablonovitch E, Huang D M, Gmitter T J, et al. Van der waals bonding of GaAs epitaxial liftoff films onto arbitrary substrates [J]. Appl Phys Lett, 1990, 56: 2419.
  • 4[4]Schnitzer I, Yablonovitch E, Caneau C, et al. Ultrahigh spontaneous emission quantum efficiency, 99.7% internally and 72% externally from AlGaAs/GaAs/AlGaAs double heterostructures [J]. Appl Phys Lett, 1993, 62: 131.
  • 5[5]Adachi S, Oe K. Chemical etching characteristics of (001)GaAs [J]. J Elcetrochem Soc, 1983, 130: 2427.
  • 6[6]Liau Z L, Mull D E. Wafer fusion: A novel technique for optoelectronic device fabrication and monolithic integration [J]. Appl Phys Lett, 1990, 56: 737.
  • 7[7]Kish F A, Steranka F M, Defevere D C, et al. Vary high-efficiency semiconductor wafer-bonded transpatent-substrate (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light-emitting diodes [J]. Appl Phys Lett, 1994, 64: 2839.
  • 8[8]Hofler G E, Vanderwater D A, Defevere D C, et al. Wafer bonding of 50-mm diameter GaP to AlGaInP light-emitting diode wafers [J]. Appl Phys Lett, 1996, 69(6): 803.
  • 9[9]Benisty H, Deneve H, Weisbnch C. Impact of planar microcavity effects on light extraction-Part I: bacic concepts and analytical trends [J]. IEEE J Quantum Elcetron, 1998, 34(9): 1312.
  • 10[10]Krames M R, Ochiai-Holcomb M, Hofler G E, et al. High-power truncated-inverted-pyramid (AlxGa1-x)0.5In0.5P/GaP light-emitting diodes exhibiting>50% external quantum efficiency [J]. Appl Phys Lett, 1999, 75: 2365.

共引文献20

同被引文献6

引证文献1

湖北科技学院学报
2019年 第4期

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