相变存储材料设计取得进展

近日,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室、材料科学与工程学院微纳中心张伟教授课题组联合中科院上海微系统与信息技术研究所、美国约翰霍普金斯大学科研人员设计了新型钪锑碲合金,将相变存储器的读写速度提升十余倍并达到亚纳秒级别。