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金属硅化物及其在肖特基势垒IRCCD焦平面阵列中的应用 被引量:2

Metal Silicides and Their Applications in SB-IRCCD FPAs
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摘要 叙述了金属硅化物的形成、组分、性质和金属硅化物形成过程中的问题。简述了金属硅化物的形成机理、分析技术及其在金属硅化物(Pd_2Si,PtSi 和IrSi)肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列中的应用。 This paper describes the formation,composition,and properties of metal silicides as well as some problems during the formation process.The formation mechanism and analysis technology are outlined together with the appli- cations of metal silicides(Pd_2Si,PtSi,IrSi)Schottky barrier irfrared CCD focal plane arrays(SB-IRCCD FPAs).
作者 程开富
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期12-16,35,共6页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 金属硅化物 电荷耦合器件 焦平面 Metal Silicids Formation Mechanism IRCCD FPAs
  • 相关文献

参考文献1

  • 1郭省焕.金属硅化物-硅接触[J]半导体技术,1982(04).

同被引文献7

引证文献2

二级引证文献1

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