摘要
本文报道了在具有掩埋波导吸收区的1.3μm 激光器的输出端面上,真空淀积 SiO-AR 涂层后,有效地消除了受激振荡,实现了在1.3μm 下的超辐射发光。
We report a 1.3μm laser with a buried absorbing guide structure. It is shown that lasing is effectively suppressed by incorporating an unpumped buried guide structure and coating the front facet of the device with an SiO antireflection layer so that the superluminescent diode emitting at 1.3μm is realized.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第4期371-375,共5页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家自然科学基金资助项目
关键词
超辐射
发光二极管
减反射膜
Superluminescent Diode
Antireflection Film