高速双极集成电路中的快速热退火被引量：1

下载PDF

导出

摘要本文介绍近年来发展较快的快速热退火(RTA)技术在高速双极IC(集成电路)的应用,文中给出RTA技术与普通热退火的比较,也给出了RTA技术在高速双极集成电路中应用的结果。

作者何德湛陈学良杨华丽刘晓岚

机构地区中国科学院上海冶金研究所微电子学分部

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期11-14,共4页 Semiconductor Technology

关键词双极集成电路热退火高速

引证文献1

1何德湛,陈学良.高速双极集成电路中的快速热退火[J].上海半导体,1991(4):22-26.
2陆昉,陆峰,孙恒慧,邬建根.快速热退火在硅中引入的缺陷的研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(1):48-54. 被引量：2
3何德湛,陈学良.高速双极集成电路中的快速热退火[J].科技通讯（上海）,1992,6(1):49-52.
4郭慧,邬建根,沈孝良,屈逢源,金辅政,张建平,朱景兵.快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流[J].固体电子学研究与进展,1990,10(4):369-373. 被引量：4
5青春.GaN快速热退火对其质量的影响[J].电子材料快报,1998(3):6-6.
6夏冠群,关安民,耿海阳,王渭源.SI GaAS中S^+注入的电学特性[J].Journal of Semiconductors,1989,10(7):542-546.
7张廷庆,刘家璐.快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响[J].微细加工技术,1991(2):62-65. 被引量：2
8林玉莉.5Gb／s光接收机的硅—双极集成电路[J].光纤通信,1992(2):87-92.
9叶兴耀.高性能双极IC工艺新技术[J].微电子学,1993,23(1):30-31.
10徐鸿达,T.G.Andersson.热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响[J].Journal of Semiconductors,1989,10(12):912-916.

半导体技术

1992年第1期

内容加载中请稍等...