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高压大功率开关晶体管少子寿命与诸电参数之间的关系及其控制技术的研究
被引量:
1
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摘要
本文研究了少子寿命与开关晶体管主要电参数之间的相互制约关系,探索了少子寿命的控制技术。
作者
郑继义
机构地区
八七七厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期28-33,共6页
Semiconductor Technology
关键词
开关晶体管
少子寿命
电参数
控制
分类号
TN323.6 [电子电信—物理电子学]
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.上海半导体,1992(4):34-37.
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半导体技术
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