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多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性
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摘要
本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。
作者
邵丙铣
郑庆平
戎瑞芬
陈祥君
钱向阳
机构地区
复旦大学材料所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第1期50-54,共5页
Semiconductor Technology
关键词
场效应器件
界面
N-Si膜
GAAS衬底
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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