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多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性

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摘要 本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。
机构地区 复旦大学材料所
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期50-54,共5页 Semiconductor Technology
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