选择性外延隔离P^+多晶硅栅PMOSFET

下载PDF

导出

摘要在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P^+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P^+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。

作者凌浩熊大菁

机构地区清华大学微电子研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期25-28,12,共5页 Semiconductor Technology

关键词 PMOSFET 单晶硅层隔离硅栅掺杂

分类号 TN386.4 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1方华军,刘理天.压电折叠梁微执行器的低电压优化设计[J].传感技术学报,2008,21(3):465-468. 被引量：5
2王宸煜.锗硅选择性外延在应变技术中的应用[J].集成电路应用,2008(8):47-48.
3韩志涛,褚金奎,孟凡涛,郭庆.基于SOI的蓝紫光探测器的设计[J].半导体光电,2009,30(5):656-659. 被引量：1
4王福学,叶烜超.利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN/GaN多量子阱结构[J].光子学报,2017,46(3):23-27.
5钱昆,李方强,程美英,伞海生,陈旭远.基于绝缘体上硅晶片的微机电系统红外光源[J].光学学报,2010,30(5):1455-1458. 被引量：3
6守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期[J].今日电子,2016,0(4):24-24.
7模拟集成电路[J].电子科技文摘,2000(1):36-36.
8吴贵斌,叶志镇,赵星,刘国军,赵炳辉.超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性[J].浙江大学学报（工学版）,2006,40(12):2041-2043. 被引量：2
9郑畅.IBM在硅上生长化合物半导体[J].半导体信息,2015(3):34-35.
10葛钟,库黎明,陈海滨,盛方毓,索思卓,闫志瑞.300mm硅片表面延性磨削机理研究[J].微电子学,2009,39(6):879-882.

半导体技术

1992年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

选择性外延隔离P^+多晶硅栅PMOSFET

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史