期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
双面光刻简易技术
被引量:
1
下载PDF
职称材料
导出
摘要
本文介绍用于半导体器件制造的两种简易双面光刻技术:一种是单版式对准,另一种是双版式对准。文中还详述了双版式双面光刻的全套工艺。实验表明,这两种双面对准方法经济实用,单版式双面对准误差<15μ,双版式双面对准误差<3μ,其光刻图形符合工艺要求。
作者
谢会开
李卫
许德华
机构地区
北京理工大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期22-24,共3页
Semiconductor Technology
关键词
半导体器件
光刻
对准
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
1
参考文献
1
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
1
二级引证文献
2
参考文献
1
1
谢会开.
ISFET的新突破—BSC-ISFET初探[J]
.传感器技术,1991(4):33-34.
被引量:1
二级参考文献
1
1
吴宪平,鲍敏杭.论硅的各向异性腐蚀[J]传感器技术,1987(01).
引证文献
1
1
武世香,邹斌,陈士芳.
一种新型接触式双面对版曝光机[J]
.电子工业专用设备,1994,23(2):48-51.
被引量:2
二级引证文献
2
1
葛劢冲.
国外双面对准曝光机的发展及其应用[J]
.电子工业专用设备,1997,26(4):4-8.
被引量:6
2
高仰月.
几种双面对准原理的分析与比较[J]
.电子工业专用设备,2000,29(4):35-38.
被引量:3
1
潘明端.
双面光刻技术[J]
.半导体技术,1989,5(1):7-8.
2
何锦涛,丁元萍.
光学光刻和双面光刻技术[J]
.电子技术参考,2000(1):49-54.
3
马平,唐小萍,罗正全.
双面深度光刻机控制系统设计[J]
.电子工业专用设备,2003,32(1):48-50.
4
王晨飞,陈洪雷,李言谨.
HgCdTe光伏探测器抑制背景通量的研究[J]
.激光与红外,2007,37(B09):935-937.
被引量:2
5
何明花,马兰敬,候昌淦.
毫米波混合集成电路工艺[J]
.航天工艺,1995(3):11-13.
6
张万昌.
Si漂移室探测器[J]
.中国原子能科学研究院年报,2007(1):376-376.
7
马平,杨春利,胡松,赵立新.
新型URE-2000S型紫外单、双面深度光刻机研制[J]
.微纳电子技术,2005,42(8):388-391.
被引量:2
8
马晋毅,江洪敏,汤劲松,赵雪梅,杨靖.
高可靠性声体波微波延迟线研究[J]
.压电与声光,2008,30(4):385-386.
9
王海涌,吴志华.
玻璃基片双面光刻对准工艺流程的研究[J]
.半导体技术,2006,31(8):576-578.
被引量:2
10
朱昌安,郑泽渔,李世红,汤劲松,周勇,王宗富,米佳,刘玲.
2μs低损耗声体波微波延迟线[J]
.压电与声光,2010,32(4):521-523.
被引量:4
半导体技术
1992年 第2期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部