大面积VDMOSFET的设计与工艺研究

本文简述了VDMOSFET的结构设计方法和工艺制造过程,针对VDMOSFET大面积化所存在的工艺问题,对大面积无缺陷、无沾污工艺进行了研究,通过采用氯化氢干氧氧化和双层介质栅成功地解决了大面积栅穿问题,采用多层复合介质解决了绝缘介质中的缺陷和台阶覆盖造成栅源穿通的问题,将氢氧合成氧化和SIPOS工艺运用于VDMOSFEF制造工艺中,成功地研制开发了50～500V,1～50AVDMOSFET,使器件芯片面积达到6×6mm^2,集成元胞24635个。