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工艺参数对ITO膜电阻率和透射率的影响

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摘要 本文就基体偏压、氧分压强和淀积后真空退火对ITO膜电阻率和透射率的影响作了理论和实验研究,通过比较理论和实验结果,弄清了宏观参数影响ITO膜电阻率的机理,并在实验基础上确定出最佳制膜参数。
机构地区 电子科技大学
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期26-29,共4页 Semiconductor Technology
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