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工艺参数对ITO膜电阻率和透射率的影响
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摘要
本文就基体偏压、氧分压强和淀积后真空退火对ITO膜电阻率和透射率的影响作了理论和实验研究,通过比较理论和实验结果,弄清了宏观参数影响ITO膜电阻率的机理,并在实验基础上确定出最佳制膜参数。
作者
张怀武
许武毅
机构地区
电子科技大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第5期26-29,共4页
Semiconductor Technology
关键词
电阻率
工艺参数
ITO膜
透射率
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1992年 第5期
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