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5GHz 30W GaAs功率场效应晶体管
5GHz 30W GaAs Power FET
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摘要
大功率高效率的GaAs场效应晶体管对雷达和数字通信系统中的放大器都是很重要的。输出功率20W的C波段GaAs功率FET已进入商用阶段。最近日本东芝公司微波固体部门报道了一种5GHz频带下输出功率大于30W的多芯片内匹配GaAs场效应晶体管。
作者
邢东
出处
《半导体情报》
1992年第1期57-58,共2页
Semiconductor Information
关键词
砷化镓
场效应
晶体管
GAAS
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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半导体情报
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