适用于移相掩模的光刻模拟

Lithography Simulation for Phase-Shifting Mask

引言 1990年处于这样一种状况,各DRAM厂家都结束了16M DRAM的开发而开始了正式的试制,并着手开发更大容量的64M DRAM。据报导,这一年中,16M DRAM的最小加工尺寸已达到0.5μm,64M DRAM已达到0.35μm。其中,0.5μm的最小加工尺寸是由采用NA0.5左右透镜的缩小投影曝光实现的。而要实现0.35μm的线宽必须采用i线曝光,不过,如果仅是采用i线源和高NA化透镜,在焦深等方面却又不尽人意。当前,光刻技术在透镜和抗蚀剂方面的改进已接近极限。