用FIB/EB混合光刻加工GaAs FET蘑菇栅

GaAs FET Mushroom Gate Fabricated by FIB/EB Hybrid Lithography

我们用聚焦离子束(FIB)和变形电子束(EB)混合光刻工艺加工了高电子迁移率晶体管(HEMT)的蘑菇栅结构。在这项工艺中,先用FIB光刻将栅区域内的抗蚀剂减薄到大约0.2μm(“顶栅”的形成),然后用EB曝光顶栅的中心(“底栅”的形成)。用变形电子束在GaAs衬底上可重复地描绘出0.20～0.25μm的图形。经挖槽刻蚀和剥离工艺之后就得到了无衬底损伤的0.2μm蘑菇栅。FIB和EB曝光的套刻精度都优于0.2μm。