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碲酸取代的硫酸三甘肽单晶体

Triglycine Sulphate Crystal Using Orthotelluric Acid Substitution in Part of Sulfuric Acid
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摘要 本文报道了用碲酸部分取代硫酸生长出来的新晶体TGSTE.讨论了生长环境及其生长习性.作了碲的元素分析.测定了晶体的介电和热释电性能.实验结果表明,TGSTE晶体的优值比高于TGS晶体. Single crystals using H_6TeO_6 substitution for parts of H_2SO_4 in TGS crystal have been grown from low temperature solutions using the slow-cooling method. Crystal habits are ex-amined, chemical analysis are conducted and ferroelectric, pyroelectric properties are determin-ed. It is found that the figure of merit of TGSTE crystal is higher than that of pure TGScrystal.
机构地区 南开大学化学系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期400-404,共5页 半导体学报(英文版)
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