P型锗MOS结构的C—V特性
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1陈诺夫.用于DLTS测试的MOS结构[J].河北工学院学报,1992,21(2):95-100.
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2陈宁,朱长纯,吴一清,单建安.500 V/11 A VDMOSFET 的研究[J].西安交通大学学报,1998,32(5):22-25. 被引量：1
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3黄海涛,王伟国.高压P阱LDMOS的结构分析及其参数分析[J].集成电路应用,2003,20(12):43-46.
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4李英,王玉花,王燕,田立林.大束流离子注入形成P-SiCoSi_2/Si肖特基结的电学特性[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):98-101.
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