一种具有双负阻特性的三端负阻器件—双基区晶体管(DUBAT)
-
1郭维廉,于彩虹.一种新型硅三端负阻器件[J].固体电子学研究与进展,1992,12(3):204-210. 被引量:1
-
2郭维廉,于彩虹.DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制[J].固体电子学研究与进展,1992,12(4):306-313. 被引量:5
-
3郭维廉,齐海涛,张世林,钟鸣,梁惠来,毛陆虹,宋瑞良,周均铭,王文新,C.Jagadish,傅岚.一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1783-1788. 被引量:1
-
4李树荣,郭维廉,郑云光,李晓江,田瑞芬.光控调频效应的实验研究[J].半导体技术,1997,13(1):19-22. 被引量:4
-
5吴静,李树荣,夏克军,郑云光,郭维廉.基于DUBAT的新型压控振荡器研究[J].电子学报,2004,32(5):795-798. 被引量:1
-
6郭维廉,郑云光,侯曾,郑爱林.功率双基区晶体管(DUBAT)及其压(流)控调频效应[J].固体电子学研究与进展,1994,14(4):310-316. 被引量:4
-
7郭维廉.三端电压控制型负阻器件(3)[J].半导体杂志,1994,19(3):30-43. 被引量:1
-
8齐海涛,郭维廉,张世林,梁惠来,毛陆虹.与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析[J].固体电子学研究与进展,2005,25(2):202-206. 被引量:1
-
9罗贤亮,董晨民,王永顺.基于双基区晶体管的负阻特性静态随机存储单元电路的设计[J].电脑知识与技术,2010,6(3X):2251-2252.
-
10郭维廉,郑云光,侯增一,杨开俊,郭正毅,钟奇.功率型双基区晶体管(DUBAT)的研制及其初步应用[J].半导体技术,1994,10(1):9-12. 被引量:3