化学汽相淀积技术(22)
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2沈天慧,汪师俊.化学汽相淀积技术(十九)[J].半导体杂志,1989(2):47-54.
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3沈天慧,汪师俊.化学汽相淀积技术(二十一)[J].半导体杂志,1990,15(1):48-53.
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4沈天慧,汪师俊.化学汽相淀积技术(十八)[J].半导体杂志,1989(1):51-54.
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7戚学贵,陈则韶,陈莉.CVD金刚石膜制备方法及其应用[J].半导体技术,2001,26(6):55-59. 被引量:4
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8陈光华,张兴旺,季亚英,严辉.金属与金刚石薄膜接触的电学特性研究[J].物理学报,1997,46(6):1188-1192. 被引量:5
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10亓文杰,於伟峰,李炳宗,顾志光,黄维宁,姜国宝,张翔九.SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质技术研究[J].Journal of Semiconductors,1996,17(11):858-862. 被引量:1
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