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COMFET的静态解析模型
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作者
陈去非
陈启秀
出处
《半导体杂志》
1992年第4期10-15,共6页
关键词
COMFET
MOS器件
静态解析模型
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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1
陈去非,陈启秀.
IGBT的静态特性解析模型[J]
.浙江大学学报(自然科学版),1994,28(2):208-215.
2
唐勇,李平.
一种改进的IGBT稳态解析模型[J]
.武汉理工大学学报(交通科学与工程版),2011,35(5):936-939.
被引量:1
半导体杂志
1992年 第4期
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