同被引文献10
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1刘瑞斌,林盛卫,翟翠凤,金绮华,姚春华.无偏置高阻单元红外探测器用陶瓷热释电材料研制[J].红外技术,1994,16(6):19-21. 被引量：1
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2卢朝靖,邝安祥,王世敏,黄桂玉.PbTiO_3薄膜的热释电特性研究[J].科学通报,1994,39(6):502-504. 被引量：2
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3Ren Wei，Proc 7th Int Symp，1991年
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4Yi G，Appl Phys，1988年，64卷，5期，2717页
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5张福学，实用传感器手册，1988年
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6许煜寰，铁电与压电材料，1987年
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7刘芸，Proc 4th International Conference on electricceramic & Application，1994年
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8森慎一郎，红外，1994年，2卷，13页
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9刘一声，电子材料，1993年，12卷，5页
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10孙平，博士学位论文，1992年
二级引证文献10
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1江勤,姜胜林,张海波,杨智兵,钟南海.非制冷红外探测器用热释电材料的研究进展[J].红外与激光工程,2006,35(z5):127-132. 被引量：1
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2袁小武,肖定全,朱基亮,方瑜,吴家刚,陈强,卢苇,朱建国.Sol-gel制备PLCT薄膜的结晶特性与电畴结构研究[J].功能材料,2005,36(7):1024-1026.
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3王世敏,张刚升,李佐宜,张端明.KTa_(0.55)Nb_(0.45)O_3薄膜的介电和铁电及热释电性能研究[J].硅酸盐学报,1999,27(6):677-684. 被引量：5
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4侯识华,宋世庚,陶明德.热释电材料及其应用[J].电子元件与材料,2000,19(6):26-28. 被引量：11
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5侯识华,宋世庚,马远新,郑毓峰.铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究[J].材料科学与工程,2001,19(3):43-47. 被引量：6
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6侯识华,宋世庚,郑应智,马远新,郑毓峰.Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜[J].材料科学与工艺,2002,10(1):107-112. 被引量：6
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7袁小武,朱建国,肖定全.PLCT系列热释电薄膜的最新研究进展[J].兵工自动化,2002,21(3):24-28.
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8袁小武,朱建国,肖定全.PLCT系列热释电薄膜的最新研究进展[J].压电与声光,2002,24(4):295-299.
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9于光龙,肖定全,朱建国,余萍,袁小武.粉末溶胶法制备Pb_(0.90)La_(0.10)Ti_(0.975)O_3 0-3型厚膜的研究[J].功能材料,2003,34(2):194-196. 被引量：1
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10张新安,李卓,蔡洪涛,胡界博,张伟风.溶胶凝胶法制备钙改性钛酸铅铁电薄膜及其光学性质研究[J].河南大学学报（自然科学版）,2004,34(1):29-32. 被引量：2
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6朱建国,彭文斌,张文,陈猛,肖定全,兰发华.多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能[J].电子显微学报,1997,16(4):437-440. 被引量：2
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7孟祥建,程建功,杨平雄,叶红娟,褚君浩.不同退火方式得到的PbTiO_3薄膜的红外光谱研究[J].物理学报,2000,49(2):371-374. 被引量：5
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8卢朝靖,王典芬.溶胶—凝胶沉积PbTiO3薄膜成分和结构的XPS分析[J].薄膜科学与技术,1995,8(1):77-83.
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9尚杰,张辉,李勇,曹明刚,张鹏翔.The transverse laser induced thermoelectric voltages in step flow growth (1-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3-x)PbTiO_3 thin films[J].Chinese Physics B,2010,19(10):452-457.
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10李海燕,吴小清,郝海燕,姚熹,任巍,张良莹.PVAC抑制PT铁电薄膜裂纹的研究[J].稀有金属材料与工程,2005,34(z2):986-989.
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