射频反应溅射CdIn2O4薄膜的光致发光性质
被引量：3
同被引文献9
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1蒋生蕊,彭栋梁,李斌,王万录.热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响[J].真空科学与技术,1993,13(2):124-129. 被引量：2
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2王万录,廖克俊,彭栋梁,高锦英.一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究[J].半导体技术,1993,9(2):51-52. 被引量：1
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3王万录,廖克俊.CdIn_2O_4和Cd_2SnO_4薄膜X－光电子能谱研究[J].太阳能学报,1994,15(3):257-261. 被引量：4
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4陈长勇,廖克俊,王万录.CdIn_2O_4薄膜的AES分析[J].太阳能学报,1995,16(1):93-96. 被引量：1
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5吴彬,王万录,廖克俊,陈长勇,王宏,张振刚.射频反应溅射CdIn_2O_4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响[J].太阳能学报,1996,17(4):380-383. 被引量：4
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6吴彬,王万录,廖克俊,张振刚.退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响[J].Journal of Semiconductors,1997,18(2):151-155. 被引量：15
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7王万录，Appl Surf Sci，1993年，68卷，2期，227页
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8Bin WU,Changyong CHEN and Shibin ZHANG(Physics Dept., Lanzhou University, Lanzhou 730000, China)Wanlu WANG and Kejun LIAO(Applied Physics Dept., Chongqing University, Chongqing 400044, China).Effect of Oxygen Concentration and Annealing Theatment on the Optical Properties of the Transparent Conductive CdIn_2O_4 Thin Films[J].Journal of Materials Science & Technology,1998,14(2):161-166. 被引量：4
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9王蜀霞,王万录,廖克俊.一种新型保温薄膜材料——CdIn_2O_4的研究[J].稀有金属材料与工程,2002,31(1):73-75. 被引量：2
引证文献3
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1张津.CdIn2O4薄膜性质及其应用研究[J].功能材料,2004,35(z1):1193-1195. 被引量：1
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2杨丰帆,王万录,廖克俊,付光宗,张瑞俭,曹春兰.退火处理对CdIn_2O_4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究[J].真空,2004,41(3):35-37.
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3吴彬,王万录,廖克俊,张振刚.退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响[J].Journal of Semiconductors,1997,18(2):151-155. 被引量：15
二级引证文献16
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1张津.CdIn2O4薄膜性质及其应用研究[J].功能材料,2004,35(z1):1193-1195. 被引量：1
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2杨丰帆,王万录,廖克俊,付光宗,张瑞俭,曹春兰.退火处理对CdIn_2O_4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究[J].真空,2004,41(3):35-37.
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3王华.铝搀杂氧化锌薄膜的结构与光电特性[J].桂林电子工业学院学报,2005,25(2):19-22. 被引量：1
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4陈欣,方斌,官文杰,吴天书,郭明森,方国家,赵兴中.沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响[J].功能材料,2005,36(10):1511-1513. 被引量：19
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5李世涛,乔学亮,陈建国.氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响[J].稀有金属材料与工程,2006,35(1):138-141. 被引量：6
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6肖华,王华,任鸣放.基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究[J].液晶与显示,2006,21(2):158-164. 被引量：12
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7李世平,李玲.溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜的光电特性[J].半导体技术,2006,31(10):733-737. 被引量：4
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8孙若男,庄大明,张弓.中频磁控溅射法制备氧化锌钇薄膜及其性能研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(5):422-425. 被引量：1
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9杨丰帆,方亮,孙建生,徐勤涛,吴苏友,张淑芳,董建新.直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究[J].真空科学与技术学报,2007,27(6):460-466. 被引量：2
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10陈传祥,齐红霞.退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO/p-Si异质结光电性质的影响[J].光学学报,2008,28(7):1411-1414. 被引量：10
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1吴彬,王万录,廖克俊,陈长勇,王宏,张振刚.射频反应溅射CdIn_2O_4膜制备过程中氧浓度对光学性质的影响[J].太阳能学报,1996,17(4):380-383. 被引量：4
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2张旭苹,陈国平.射频反应溅射SiO_2薄膜的研究[J].真空电子技术,1994,7(3):3-6. 被引量：2
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3魏晋云,刘滔,廖华.低真空射频反应溅射Al_2O_3薄膜[J].光电子技术,1998,18(2):166-168. 被引量：4
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4朋兴平,王志光,宋银,季涛,臧航,杨映虎,金运范.射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性[J].中国科学（G辑）,2007,37(2):218-222. 被引量：10
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5陈长勇,廖克俊,王万录.CdIn_2O_4薄膜的AES分析[J].太阳能学报,1995,16(1):93-96. 被引量：1
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6朋兴平,王印月,方泽波,杨映虎.In掺杂对ZnO薄膜结构及光学特性的影响[J].Journal of Semiconductors,2005,26(4):711-715. 被引量：4
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7杨丰帆,王万录,廖克俊,付光宗,张瑞俭,曹春兰.退火处理对CdIn_2O_4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究[J].真空,2004,41(3):35-37.
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8张祖新,李伟,张文炳.低温衬底的射频反应溅射法制备a-SiO_2薄膜的研究[J].武汉大学学报（自然科学版）,1999,45(5):601-603.
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9刘正堂,朱景芝,许念坎,郑修麟.射频反应溅射Ge_xC_（1－x）薄膜的特性[J].红外技术,1996,18(5):19-22. 被引量：5
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10孙雷,史月艳.射频溅射沉积 TaO_x 薄膜离子导体性能[J].太阳能学报,1998,19(2):140-146. 被引量：8
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