IBAD过渡层对蒸镀Al膜结构及性能影响的研究
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1宋忠孝,徐可为,陈华.退火气氛与扩散阻挡层对Cu膜表面完整性的影响[J].真空科学与技术,2003,23(3):165-168. 被引量：2
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2牟晴晴,刘林飞,李贻杰.Fabrication of IBAD-MgO and PLD-CeO2 Layers for YBCO Coated Conductors[J].Chinese Physics Letters,2015,32(7):206-209. 被引量：1
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3尤大纬,李安杰,黄小刚.辅助沉积线状(3×20cm)离子源设计[J].微细加工技术,1993(3):39-42.
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4Soochow University makes great progress in the field of films' growth using a chemical solution approach[J].Science Foundation in China,2013,21(1):57-57.
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5常旭,宗祥福.聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型[J].Journal of Semiconductors,2000,21(4):404-408.
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6李少梅,罗崇泰,熊玉卿,黄良甫,邓浩江,姬运,刘定权.10.4～12.5 μm 单层红外增透膜的研究[J].真空与低温,1997,3(4):213-219. 被引量：3
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7何建宏,曹育文,唐祥云.用离子束辅助沉积对Si进行金属化[J].电子工艺技术,1995,16(4):26-27.
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8杨杰,阎忻水.退火温度对IBAD合成Co—Si化合物薄膜结构影响研究[J].薄膜科学与技术,1994,7(2):151-154.
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9张宇峰,张溪文,任兆杏,韩高荣.离子束辅助薄膜沉积[J].材料导报,2003,17(11):40-43. 被引量：13
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10陈长清,任琮欣,杨立新,严金龙,郑志宏,周祖尧,陈平,柳襄怀,陈学良.利用离子束技术及PECVD制备碳化硅[J].核技术,1998,21(9):519-524. 被引量：2
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