α—Ge—单晶Au和α—Ge—多晶Au双层膜真空退火的俄歇电子谱成剖面分析
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1陈维德,陈宗圭,崔玉德.In_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析[J].Journal of Semiconductors,1993,14(7):410-415. 被引量：1
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2杨得全,范垂祯.Al_xGa_(1-x)As的俄歇电子谱定量分析[J].Journal of Semiconductors,1991,12(7):430-434. 被引量：1
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3陈维德,崔玉德,许振嘉,陶江.Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应[J].Journal of Semiconductors,1990,11(11):859-865. 被引量：3
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4陈维德,H.Bender,H.E.Maes.氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应[J].Journal of Semiconductors,1990,11(6):441-447.
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5陈维德,谢小龙,陈春华,崔玉德,段俐宏,许振嘉.利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触[J].真空科学与技术,1997,17(1):51-55. 被引量：1
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6卫星,周铁城,杨小平,俞鸣人,张翔九,盛篪,王迅.分子束外延生长Ge_xSi_(1-x)的原位俄歇定量分析[J].红外与毫米波学报,1992,11(2):103-107.
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7王岚,刘雅言.杂质分布对多晶硅薄膜电性能的影响[J].真空科学与技术,1998,18(3):216-219.
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8谢舒平,范垂祯.因子分析法及其在俄歇电子谱研究中的应用[J].真空与低温,1995,1(3):153-162. 被引量：1
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9孙大明.高频等离子体阴极氧化铝膜表面结构的AES研究[J].真空与低温,1995,1(3):141-144.
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10徐翠芹,Popadic Milos,Nanver L.K.,茹国平.用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)[J].半导体技术,2010,35(1):39-42.
