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Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究

Solid Phase Reaction of Ni/Pd/Si(100) and Enhancement of NiSi Thermal Stability Study
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摘要 研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经典成核理论解释了该现象 . The silicide formation for Ni/Pd bilayers on Si substrate is investigated.The results show that,when adding Pd into Ni/Si,thermal annealing leads to formation of a solid solution Ni 1-x Pd x Si layer with better thermal stability than NiSi.The nucleation temperature for NiSi 2 is retarded due to the Pd addition.The more Pd added,the higher the NiSi 2 nucleation temperature is.In the mean time,the nucleation for PdSi is promoted due to Ni addition.The enhancing of NiSi thermal stability is well explained by classic nucleation theory.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1173-1177,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) 上海市教委和上海教育发展基金会曙光计划 中国教育部博士点基金 国家科委 -比利时弗兰德合作资助项目~~
关键词 NISI 成核 固熔体 热稳定性 硅化镍 集成电路 镍钯硅三元化合物 Ni/Pd/Si固相反应 NiSi nucleation solid solution thermal stability
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