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对气相外延GaN薄膜生长的研究
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摘要
氮化镓是一种Ⅲ—Ⅴ族化合物的发光材料,属六方晶系,钎维锌矿结构,其禁带宽度岁3.5ev,具有直接跃迁型能带结构。适当掺杂的GaN在一定电场下可以发射红、黄、绿、兰紫色等发光光谱。
作者
黄锡珉
富淑清
谢江锋
范广涵
胡光
刘汉芝
机构地区
中国科学院长春物理所
出处
《发光学报》
EI
CAS
1979年第Z1期94-97,共4页
Chinese Journal of Luminescence
关键词
GAN
外延生长
淀积
生长速率
HCI
NH
晶体生长
气相外延
外延层
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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被引量:5
发光学报
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